2020年07月09日 周四

美国加州大学圣塔芭芭拉分校开发出半极性氮化铟镓LED的简易制造方法

2020年04月24日

[据美国光学学会官方网站2020年4月21日报道] 美国加州大学圣塔芭芭拉分校开发出高效率、电驱动的无磷白光半极性氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED) 的简易方法。在半极性或非极性平面上生长氮化镓基光学器件可以降低或消除极化相关电场,从而降低量子限制Stark效应(QCSE)对器件的影响,提高器件的发光效率。当前,无磷白光半极性二极管生产工艺复杂,产量低且难以控制。研究人员利用在半极性块状氮化镓(GaN)衬底上生长的顶部蓝色量子阱(QW)和底部黄色量子阱,展示了一种简易的制造方法。晶圆测试表明面积为0.1平方毫米的发光二极管输出功率为0.9毫瓦,正向电压为3.1伏,在427纳米和560纳米处有两个发射峰值。此外,在尺寸为20×20平方微米和40×40 平方微米的发光微二极管(LEDs)中,可见光通信(VLC)的3分贝调制带宽为410 兆赫兹,可克服部分商用发光二极管中慢频率响应的问题。(国家工业信息安全发展研究中心 李茜楠)

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